微區(qū)掃描電化學(xué)工作站是一個(gè)建立在電化學(xué)掃描探針的設(shè)計(jì)基礎(chǔ)上的，進(jìn)行高測(cè)量分辨率及空間分辨率的非接觸式微區(qū)形貌及電化學(xué)微區(qū)測(cè)試系統(tǒng)。 它是提供給電化學(xué)及材料測(cè)試以*空間分辨率的一個(gè)測(cè)試平臺(tái)。每個(gè)VersaSCAN都具有高分辨率，長(zhǎng)工作距離的閉環(huán)定位系統(tǒng)并安裝于抗震光學(xué)平臺(tái)上。不同的輔助選件都安裝于定位系統(tǒng)上，輔助選件包括，如電位計(jì)，壓電振動(dòng)單元，或者激光傳感器，為不同掃描探針試驗(yàn)，定位系統(tǒng)提供不同的功能。VersaSTAT恒電位儀和Signal Recovery 7230鎖相放大器和定位系統(tǒng)整合在一起，由以太網(wǎng)來(lái)控制，保證小信號(hào)的測(cè)量。
 

　　微區(qū)掃描電化學(xué)是一個(gè)模塊化配置的系統(tǒng)，可以實(shí)現(xiàn)如下現(xiàn)今所有微區(qū)掃描探針電化學(xué)技術(shù)以及激光非接觸式微區(qū)形貌測(cè)試： Scanning Electrochemical Microscopy (SECM) 掃描電化學(xué)顯微鏡 Scanning Vibrating Electrode Technique (SVET) 掃描振動(dòng)電極測(cè)試 Scanning Kelvin Probe (SKP) 掃描開(kāi)爾文探針測(cè)試 Localized Electrochemical Impedance Spectroscopy (LEIS) 微區(qū)掃描電化學(xué)阻抗測(cè)試 Scanning Droplet Cell (SDC) 掃描電解液微滴測(cè)試 Non-Contact Surface Profiling (OSP) 非觸式光學(xué)微區(qū)形貌測(cè)試
 

　　以上每項(xiàng)技術(shù)使用不同的測(cè)量探針，且安裝位置與樣品非常接近，但是不接觸到樣品。隨著探針測(cè)試的進(jìn)行，改變探針的空間位置。然后將所記錄的數(shù)據(jù)對(duì)探針位置作圖，針對(duì)不同技術(shù)，該圖可以呈現(xiàn)微區(qū)電化學(xué)電流，阻抗，相對(duì)功函或者是表面形貌圖。
 

　　微區(qū)掃描電化學(xué)阻抗技術(shù)(LEIS)能確定局部區(qū)域固/液界面的阻抗行為及相應(yīng)參數(shù)，如局部腐蝕速率、涂層(有機(jī)、無(wú)機(jī))完整性和均勻性、涂層下或與金屬界面間的局部腐蝕、緩蝕劑性能及不銹鋼鈍化/再鈍化等多種電化學(xué)界面特性。阻抗技術(shù)是向被測(cè)電極施加一微擾電壓，從而感生出交變電流，通過(guò)使用兩個(gè)鉑微電極確定金屬表面上局部溶液交流電流密度來(lái)測(cè)量局部阻抗的技術(shù)。